<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Menentang on Focused IR Heating Beams</title>
		<link>http://ir-heat-beam.com/ms/tags/menentang/</link>
		<description>Recent content in Menentang on Focused IR Heating Beams</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>ms</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Fri, 26 Jun 2026 05:13:35 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://ir-heat-beam.com/ms/tags/menentang/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Lampu untuk proses pembakaran bahan penolak cahaya UV dalam gelombang panjang (DUV)</title>
				<link>http://ir-heat-beam.com/ms/posts/deep-uv-duv-resist-bake-lamp/</link>
				<pubDate>Fri, 26 Jun 2026 05:13:35 +0800</pubDate>
				<guid>http://ir-heat-beam.com/ms/posts/deep-uv-duv-resist-bake-lamp/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heat-beam.com/images/016cf4f616aaa15e4af48856b8adc51b.png&#34; alt=&#34;Lampu untuk proses pembakaran bahan penolak cahaya UV dalam gelombang panjang (DUV)&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Di ruang pemprosesan litografi, seseorang akan belajar dengan cepat: sebarang perubahan kecil pada suhu pengeringan boleh menyebabkan masalah yang tidak dijangka. Perbezaan suhu sebanyak setengah darjah sahaja sudah cukup untuk menyebabkan dimensi kritikal wafer menjadi tidak tepat. Selain itu, kehadiran zarah-zarah tertentu juga boleh merosakkan wafer yang baik menjadi wafer yang tidak boleh digunakan lagi. Lampu pengeringan DUV membantu mengelakkan masalah ini.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Apa yang penting dari segi teknikal&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Kita memerlukan keseragaman suhu pada tahap wafer sekitar ±0.1°C, agar seluruh permukaan fotoresist dapat dikeringkan dengan cara yang sama, dari satu pengeluaran ke pengeluaran yang lain. Cahaya berfrekuensi tinggi serta reka bentuk yang dioptimasikan untuk kuarsa membolehkan proses pengeringan berlaku dengan &lt;a href=&#34;https://o-yate.net&#34;&gt;cepat&lt;/a&gt; dan terkawal, tanpa adanya kawasan panas. Sistem ini juga bebas daripada pelepasan zarah, jadi tiada &lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;keperluan&lt;/a&gt; untuk memastikan jumlah zarah dalam bilik bersih berada dalam julat yang ditetapkan.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
			<item>
				<title>Pemanas untuk proses pelapisan lapisan penahan kering</title>
				<link>http://ir-heat-beam.com/ms/posts/dry-film-resist-laminating-heater/</link>
				<pubDate>Thu, 25 Jun 2026 04:54:44 +0800</pubDate>
				<guid>http://ir-heat-beam.com/ms/posts/dry-film-resist-laminating-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heat-beam.com/images/a071a4619f1d04d8f3e2839bd3740f1c.png&#34; alt=&#34;Pemanas untuk proses pelapisan lapisan penahan kering&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Di lantai proses litografi, pemanas yang &lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;digunakan&lt;/a&gt; untuk proses pelapisan bukan sekadar memberikan haba semata-mata. Ia juga berfungsi untuk menetapkan tahap haba yang diperlukan untuk keseluruhan proses penggunaan bahan fotoresist tersebut. Jika terdapat perbezaan suhu sebanyak 0.5°C semasa proses pembakaran lembut, ia akan mempengaruhi sifat viskositi bahan tersebut, serta kawalan dimensi yang tepat. Apabila spesifikasi yang ditetapkan adalah kestabilan suhu sekitar ±0.1°C di seluruh permukaan substrat, maka pemanas yang digunakan bukanlah sekadar alat tambahan, tetapi merupakan unsur penting dalam proses ini.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
